Výsledky hledání
Skočit na navigaci
Skočit na vyhledávání
- Soubor:DarlingtonNPN.jpg|Dva tranzistory NPN v darlingtonově zapojení Soubor:DarlingtonPNP.jpg|Dva tranzistory PNP v darlingtonově zapojení …2 KB (366 slov) - 4. 4. 2024, 23:08
- | titul = Koncový stupeň s tranzistory …u tranzistorů o opačné polaritě (tedy vždy jeden NPN a PNP, komplementární tranzistory). Výsledné chování je dáno typem tranzistoru '''Q<sub>1</sub>'''. Báze tran …3 KB (374 slov) - 17. 3. 2024, 23:39
- …chnologií na napětí do zhruba 600 V. V současnosti se již podařilo vyrobit tranzistory MOSFET i na bázi SiC (silikon-karbid) a GaAs (galium arsenid), což umožnilo Přestože unipolární tranzistory byly [[Julius Edgar Lilienfeld|vynalezeny]] jako první z tranzistorů ve 20. …10 KB (1 662 slov) - 12. 7. 2023, 07:42
- …zesilovač]] (OZ) druhé generace tvořený [[Bipolární tranzistor|bipolárními tranzistory]]. Původní μA741 vytvořil v roce 1968 [[David Fullagar]] z [[Fairchild Semi …udu]] se nastavuje dvěma proudovým zrcadly vlevo. Proudové zrcadlo tvořené tranzistory Q8/Q9 dovoluje pracovat s velkými [[soufázový signál|soufázovými]] napětími …10 KB (1 767 slov) - 31. 8. 2023, 15:09
- === Verze s bipolárními tranzistory === …7 KB (1 138 slov) - 22. 4. 2023, 11:54
- === Verze s bipolárními tranzistory === …ub>1</sub> a T<sub>2</sub> se začnou otevírat. Jelikož jsou použity reálné tranzistory, které mají (vlivem nedokonalé výroby) mírně odlišné parametry, jeden z tra …10 KB (1 687 slov) - 24. 1. 2024, 21:01
- …elký vstupní [[elektrický odpor|odpor]] se těmto tranzistorům také říká '''tranzistory řízené elektrickým polem''' ('''FET''', Field-Effect Transistors). Velký vs [[Kategorie:Tranzistory]] …6 KB (989 slov) - 28. 12. 2021, 11:04
- …lárními tranzistory. Existují však jejich obdoby s [[Unipolární tranzistor|tranzistory řízenými polem]] (FET) a s [[elektronka]]mi. Přestože vlastnosti odpovídají …>R_2</math> po odečtení úbytku napětí asi 0,5 až 0,7 V (pro křemíkové tranzistory). <math>R_3</math> je třeba zvolit tak, aby pokles napětí na <math>R_3</mat …19 KB (2 980 slov) - 5. 2. 2024, 14:23
- …1947 objevili [[hrotový tranzistor|hrotový (bipolární) tranzistor]]. První tranzistory JFET byly vyrobeny až o deset let později. [[Kategorie:Tranzistory]] …11 KB (1 864 slov) - 12. 7. 2023, 07:35
- …ísla]] (NF) a většího konverzního zisku. Důvodem je, že spínací diody nebo tranzistory mají buď jako velmi malý odpor (když jsou zavřené) nebo velmi velký odpor… …10 KB (1 686 slov) - 5. 11. 2022, 10:15
- …se téměř blíží ideálnímu OZ. Konstrukce mnohých OZ vybavených unipolárními tranzistory ovšem stále vychází z klasického obvodu [[MAA741|741]], u něhož je pouze ně …souhlasnému signálu R<sub>g</sub>. V operačních zesilovačích s bipolárními tranzistory vstupní odpor vůči rozdílovému signálu R<sub>d</sub> nabývá hodnot miliónů …15 KB (2 593 slov) - 1. 2. 2024, 12:36
- V důsledku Millerova jevu např. [[Tranzistor|Darlingtonovy tranzistory]] kvůli velkému zesilovacímu činiteli mohou mít pomalou odezvu při nízkých …4 KB (753 slov) - 8. 4. 2024, 22:17
- …ňkách, které jsou tvořeny tzv. [[Floating-gate transistory|''floating-gate tranzistory'']]. Obvykle měla každá buňka dva možné stavy, takže jeden bit data byl ulo …5 KB (840 slov) - 8. 8. 2021, 20:16
- 5 KB (818 slov) - 24. 1. 2024, 11:46
- …rem řízena malými změnami proudu tekoucího mezi bází a emitorem. Bipolární tranzistory se používají jako [[zesilovač]]e, [[spínač]]e a [[Hradlo NOT|invertory]].… [[Kategorie:Tranzistory]] …10 KB (1 603 slov) - 1. 3. 2024, 09:25
- …tupů vedlo k tomu, že se výstupní veličiny dostávaly do zakázaného pásma a tranzistory přecházely ze saturace do aktivní zóny svých charakteristik. …12 KB (1 971 slov) - 5. 11. 2022, 15:10
- …lů|malým signálem]] je zahrnutí aktivních prvků, jako jsou elektronky nebo tranzistory, s linearizací jejich chování okolo stejnosměrného [[Pracovní bod|pracovníh …í bod|pracovního bodu]] lze takovou dvojbranovou reprezentaci vytvořit pro tranzistory; příkladem je [[Giacolettův model]] a model [[Bipolární tranzistor|bipolárn …13 KB (2 090 slov) - 20. 6. 2024, 06:05
- …ckými zařízeními. Obdélníkový průběh je typicky generován obvody tvořenými tranzistory [[MOSFET]], která se vyznačují rychlým přepínáním mezi stavy vypnuto a zapn …8 KB (1 367 slov) - 28. 10. 2024, 16:24
- === Verze s bipolárními tranzistory === …8 KB (1 374 slov) - 12. 10. 2023, 10:21
- 10 KB (1 601 slov) - 3. 7. 2024, 10:25